Перенос скрытых электростатических изображений на диэлектрические поверхности

Техника переноса во всех этих случаях разная, но в нее обязательно входит либо перемещение электрических зарядов через воздушный зазор, либо прямой перенос зарядов при отсутствии воздушного зазора. В данной главе рассматриваются явления, лежащие в основе этих процессов. В недавно опубликованной работе излагается теория механизмов переноса заряда между двумя диэлектрическими поверхностями под действием электрического разряда в газовой среде, возникающего в результате ионизации, автоэлектронной эмиссии или обоих этих явлений одновременно. В указанной работе явление переноса зарядов через разделяющий две диэлектрические поверхности воздушный промежуток шириной более 8 мк описывается с помощью кривой Пашена. Для доказательства теоретической возможности переноса заряда при очень малых воздушных зазорах (порядка нескольких микрон) был предложен измененный вариант кривой Пашена. Такие малые зазоры встречаются в тех случаях, когда поверхности практически находятся в контакте. Было установлено также, что заряды могут переноситься непосредственно с одной диэлектрической поверхности на другую, когда эти поверхности настолько плотно прилегают друг к другу, что между ними нет воздушного зазора (например, в случае двух пленок, находящихся под давлением).